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女子新婚3月坠亡,5G时代来临,第三代半导体材料各领风骚

[2019-06-12 19:27:44] 来源:本站 编辑:小编 点击量:
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导读:在昆女子新婚3月坠亡山举办的「2017中国集成电路产业促进大会高峰论坛」上,5G与化合物半导体发展前景议题备受关注。论坛中业内人士对记者分析称,随着5G时代到来,以SiC、GaN为代表的第三代宽能隙半导体材料将迎来发展机遇。三安光电、国民技术、扬杰科技、海特高新等多家上市公司均已

  在昆女子新婚3月坠亡山举办的「2017中国集成电路产业促进大会高峰论坛」上,5G与化合物半导体发展前景议题备受关注。论坛中业内人士对记者分析称,随着5G时代到来,以SiC、GaN为代表的第三代宽能隙半导体材料将迎来发展机遇。

  三安光电、国民技术、扬杰科技、海特高新等多家上市公司均已积极布局。Infineon方面预计,未来GaN将占据75%的基站射频功率器件市场。

  1SiC及GaN将朝向不同领域发展

  5G时代来临,除了使得链线装置数量提升外,耗电量也同步提升,因此无线通讯质量及节能需求使得宽能隙半导体材料受到重视,SiC及GaN虽同为宽能隙半导体材料,但材料特性各有见长,参考下图所示,SiC散热性佳,能承受高温、高电压、大电流的操作环境,这类高电压应用的操作环境较为特殊,预期未来将在利基型市场(Niche Market)场大放异彩。

  GaN则在高频环境具优势,对无线通讯质量的提升有相当大帮助,随着GaN-on-Si的技术逐渐成熟,其制造成本更加具有竞争力,未来相当有机会应用在智能型手机等大众市场,因此SiC及GaN未来将朝向不同领域的市场发展。

  图:宽能隙半导体材料应用情行(source:Delta)

  2SiC经济规模成长仍有不少阻碍待女子新婚3月坠亡 克服

  SiC的经济规模要持续成长仍有几项阻碍需克服,首先SiC用的封装材料之导热能力仍须要改善,其次是Si-MOSFET成本下降或是效能提升,以及Si-IGBT模块的散热性能持续优化,极有可能降低客户采用SiC的意愿。

  事实上,现阶段主流的4吋女子新婚3月坠亡SiC晶圆转进6吋晶圆进度有推迟现象,主要原因来自终端需求未达到一定规模,在晶圆厂评估客户端的需求量上升幅度不足以消化新的6吋晶圆产能女子新婚3月坠亡之下,晶圆厂不会愿意建置新的6吋晶圆产能,如此将对SiC经济规模成长造成一定的负面效果。

  (文/拓墣产业研究院 女子新婚3月坠亡黄志宇)

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